此次启用的先进封装试产线是 Rapidus Chiplet Solutions 研发设施的核心组成部分，设立于精工爱普生千岁工厂内。该产线采用 Rapidus 自主研发的大尺寸玻璃基板封装技术，彻底突破了传统有机基板和硅中介层的尺寸限制，成为全球首个实现 600mm×600mm 正方形玻璃基板量产验证的产线。
据《日本经济新闻》报道，传统半导体封装普遍采用 300mm 圆形硅片或更小尺寸的有机基板，材料利用率不足 70%，且单块基板可生产的中介层数量有限。而 Rapidus 采用的 600mm 正方形玻璃基板，不仅将材料利用率提升至 95% 以上，更使单块基板可生产的 Chiplet 中介层数量达到传统工艺的 10 倍，进而将 AI 芯片的整体生产效率提升 10 倍以上。这一技术路线充分发挥了日本在玻璃材料和面板制造领域的传统优势，为先进封装成本下降开辟了全新路径。
Rapidus 方面表示，该产线此前已完成小规模试制，生产的 600mm 玻璃基板 RDL 中介层在平整度、热膨胀系数和信号完整性等核心指标上均达到设计要求。未来，该技术将与 Rapidus 的 2nm 逻辑制程深度结合，为客户提供从芯片制造到系统级封装的一站式解决方案，满足下一代 AI 芯片对高集成度、高带宽和低成本的迫切需求。
在先进封装技术取得突破的同时，Rapidus 的 2nm 逻辑制程研发也按计划稳步推进。公司重申，将在 2027 财年下半年（2027 年 10 月至 2028 年 3 月）实现 2nm 全环绕栅极（GAA）制程的大规模量产。根据产能规划，IIM-1 晶圆厂初期月产能为 6000 片 12 英寸晶圆，量产后约一年内将逐步提升至每月 20000 至 25000 片的满产水平。
值得注意的是，Rapidus 的 2nm 制程采用了与 IBM 联合开发的单晶圆工艺技术，可将从设计到晶圆完成的生产周期从传统的 120 天缩短至 50 天，对于紧急订单甚至可实现 15 天交付。
这一独特优势将帮助 Rapidus 在高端 AI 芯片和高性能计算芯片市场形成差异化竞争力。目前，Rapidus 已完成 2nm GAA 晶体管的原型试制，电气性能指标达到预期，并计划于 2026 年一季度向先期客户发布工艺开发套件。
与封装试产线同日启用的综合分析中心，紧邻 Rapidus 首座 2nm 晶圆厂 IIM-1，总投资超过 500 亿日元。该中心配备了全球最先进的透射电子显微镜、扫描电子显微镜、原子力显微镜等分析设备，可开展物理结构分析、环境与化学分析、电学表征和可靠性测试等全流程检测工作。
这种 "产线旁建分析中心" 的布局模式，实现了制造与分析的实时闭环验证。当生产过程中出现良率问题时，技术人员可在数小时内完成样品分析并反馈至产线，大幅缩短问题排查和工艺优化周期，为 2nm 制程量产阶段的良率提升提供关键保障。日本经济产业大臣赤泽亮正在启用仪式上表示，这一设施将成为 Rapidus 实现稳定量产的 "核心竞争力"。
Rapidus 成立于 2022 年 12 月，由丰田、索尼、软银、铠侠、NTT、电装、NEC 和三菱日联银行 8 家日本龙头企业联合出资组建，是日本政府主导的半导体产业复兴战略的核心载体。此次追加的 6315 亿日元补贴，将主要用于 2nm 晶圆厂设备采购、先进封装技术研发和人才培养。日本政府还表示，计划在 2027 财年再向 Rapidus 追加约 3000 亿日元的资金支持。
除了资金支持，日本政府还通过政策引导推动国内企业采用 Rapidus 的芯片产品。富士通和日本 IBM 开发的下一代省电型 AI 半导体，已确定将由 Rapidus 代工生产。同时，Rapidus 还与欧盟 IMEC 等国际研究机构开展技术合作，共同推进更先进制程的研发。
从 2nm 制程原型试制成功到全球首条 600mm 玻璃基板封装试产线启用，Rapidus 在短短三年多时间里实现了从无到有的跨越式发展，展现了日本在半导体领域的深厚技术积淀和举国体制的强大动员能力。此次两大核心设施的启用和巨额政府补贴的到位，标志着日本 2nm 半导体战略已进入最后的冲刺阶段。
随着 2027 年 2nm 制程量产的临近，Rapidus 不仅将打破台积电、三星和英特尔在尖端逻辑芯片市场的垄断格局，更将为日本构建从材料、设备、制造到应用的完整半导体产业生态奠定坚实基础，推动日本在全球 AI 和高性能计算产业竞争中占据重要一席之地。
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